RRS110N03TB1 - MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-RRS110N03TB1
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
5112 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para RRS110N03TB1
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
RRS110N03TB1
Fabricante :
Rohm Semiconductor
Descripción :
MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
11A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
12.6 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
33nC @ 5V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
2000pF @ 10V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
8-SOP
Paquete / Caja :
8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para RRS110N03TB1
Hojas de datos :
RRS110N03TB1.pdf
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