IRFSL23N20D102P - MOSFET N-CH 200V 24A TO-262

Número de pieza del fabricante

IRFSL23N20D102P

Número interno de parte

AX-IRFSL23N20D102P

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 200V 24A TO-262

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

5232 Pieces

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Especificaciones para IRFSL23N20D102P

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IRFSL23N20D102P

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 200V 24A TO-262

Serie : HEXFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 24A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 100 mOhm @ 14A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 86nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1960pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 3.8W (Ta), 170W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-262

Paquete / Caja : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IRFSL , IRFSL23

Documentos para IRFSL23N20D102P

Hojas de datos : IRFSL23N20D102P.pdf

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