STB16NK65Z-S - MOSFET N-CH 650V 13A I2SPAK

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 650V 13A I2SPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
61320 Pieces
Precio de referencia
USD 0
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Especificaciones para STB16NK65Z-S

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : STB16NK65Z-S
Fabricante : STMicroelectronics
Descripción : MOSFET N-CH 650V 13A I2SPAK
Serie : SuperMESH™
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 13A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 500 mOhm @ 6.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 89nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2750pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 190W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : I2PAK
Paquete / Caja : TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : STB16NK65Z-S.pdf

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