FCA20N60-F109 - MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
173210 Pieces
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Especificaciones para FCA20N60-F109
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : FCA20N60-F109
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 600V 20A TO-3P
Serie : SuperFET™
Estado de la pieza : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 20A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 190 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 98nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3080pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 208W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-3PN
Paquete / Caja : TO-3P-3, SC-65-3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para FCA20N60-F109
Hojas de datos : FCA20N60-F109.pdf
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