NXPSC08650DJ - DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-NXPSC08650DJ
Fabricante
Breve descripción
DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
26684 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para NXPSC08650DJ
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : NXPSC08650DJ
Fabricante : WeEn Semiconductors
Descripción : DIODE SCHOTTKY 650V 8A DPAK
Serie : -
Estado de la pieza : Discontinued at Digi-Key
Tipo de diodo : Silicon Carbide Schottky
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 650V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 8A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1.7V @ 8A
Velocidad : No Recovery Time > 500mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 0ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 230µA @ 650V
Capacitancia a Vr, F : 260pF @ 1V, 1MHz
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Paquete del dispositivo del proveedor : DPAK
Temperatura de funcionamiento - Unión : 175°C (Max)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para NXPSC08650DJ
Hojas de datos : NXPSC08650DJ.pdf
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