SISS10DN-T1-GE3 - MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Número de pieza del fabricante

SISS10DN-T1-GE3

Número interno de parte

AX-SISS10DN-T1-GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

973125 Pieces

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Especificaciones para SISS10DN-T1-GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SISS10DN-T1-GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CH 40V 60A PPAK 1212-8S

Serie : TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 60A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.65 mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 75nC @ 10V

Vgs (Max) : +20V, -16V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 3750pF @ 20V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 57W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PowerPAK® 1212-8S (3.3x3.3)

Paquete / Caja : 8-PowerVDFN

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SISS1 , SISS10D

Documentos para SISS10DN-T1-GE3

Hojas de datos : SISS10DN-T1-GE3.pdf

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