UGB8BT-E3/81 - DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
582615 Pieces
Precio de referencia
USD 0.481554
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Especificaciones para UGB8BT-E3/81

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : UGB8BT-E3/81
Fabricante : Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción : DIODE GEN PURP 100V 8A TO263AB
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de diodo : Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) : 100V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) : 8A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si : 1V @ 8A
Velocidad : Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) : 30ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr : 10µA @ 100V
Capacitancia a Vr, F : -
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-263AB
Temperatura de funcionamiento - Unión : -55°C ~ 150°C
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : UGB8BT-E3/81.pdf

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