NTLJD3182FZTBG - MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
7224 Pieces
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Especificaciones para NTLJD3182FZTBG
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
NTLJD3182FZTBG
Fabricante :
ON Semiconductor
Descripción :
MOSFET P-CH 20V 2.2A 6-WDFN
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
2.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
7.8nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
450pF @ 10V
Característica FET :
Schottky Diode (Isolated)
Disipación de potencia (max) :
710mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
6-WDFN (2x2)
Paquete / Caja :
6-WDFN Exposed Pad
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para NTLJD3182FZTBG
Hojas de datos :
NTLJD3182FZTBG.pdf
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