BSP320SL6327HTSA1 - MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
15784 Pieces
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Especificaciones para BSP320SL6327HTSA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : BSP320SL6327HTSA1
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 60V 2.9A SOT-223
Serie : SIPMOS®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.9A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 2.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 20µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 340pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 1.8W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : PG-SOT223-4
Paquete / Caja : TO-261-4, TO-261AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : BSP32 , BSP320SL

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Hojas de datos : BSP320SL6327HTSA1.pdf

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