BSM180C12P2E202 - BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO

Número de pieza del fabricante

BSM180C12P2E202

Número interno de parte

AX-BSM180C12P2E202

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

9084 Pieces

Precio de referencia

~~USD 340.2~~

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Especificaciones para BSM180C12P2E202

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : BSM180C12P2E202

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : BSM180C12P2E202 IS A SIC SILICO

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 204A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : -

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 35.2mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : +22V, -6V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 20000pF @ 10V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1360W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : Module

Paquete / Caja : Module

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para BSM180C12P2E202

Hojas de datos : BSM180C12P2E202.pdf

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