IRF9Z34NLPBF - MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IRF9Z34NLPBF
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
64885 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para IRF9Z34NLPBF
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
IRF9Z34NLPBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
Serie :
HEXFET®
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
55V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
19A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
100 mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
35nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
620pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
3.8W (Ta), 68W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-262
Paquete / Caja :
TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para IRF9Z34NLPBF
Hojas de datos :
IRF9Z34NLPBF.pdf
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