MMIX1F160N30T - MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
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Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
23056 Pieces
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Especificaciones para MMIX1F160N30T
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : MMIX1F160N30T
Fabricante : IXYS
Descripción : MOSFET N-CH 300V 102A SMPD
Serie : GigaMOS™, HiperFET™, TrenchT2™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 300V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 102A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 20 mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 8mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 335nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2800pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 570W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : 24-SMPD
Paquete / Caja : 24-PowerSMD, 21 Leads
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para MMIX1F160N30T
Hojas de datos : MMIX1F160N30T.pdf
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