ZXMN6A08GQTC - MOSFETN-CH 60VSOT223
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-ZXMN6A08GQTC
Fabricante
Breve descripción
MOSFETN-CH 60VSOT223
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1067640 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para ZXMN6A08GQTC
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
ZXMN6A08GQTC
Fabricante :
Diodes Incorporated
Descripción :
MOSFETN-CH 60VSOT223
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
3.8A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
80 mOhm @ 4.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
5.8nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
459pF @ 40V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
2W (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
SOT-223
Paquete / Caja :
TO-261-4, TO-261AA
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para ZXMN6A08GQTC
Hojas de datos :
ZXMN6A08GQTC.pdf
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