HUF75307T3ST - MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223

Número de pieza del fabricante

HUF75307T3ST

Número interno de parte

AX-HUF75307T3ST

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

65210 Pieces

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Especificaciones para HUF75307T3ST

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : HUF75307T3ST

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 55V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.6A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 90 mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 17nC @ 20V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 250pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 1.1W (Ta)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-223-4

Paquete / Caja : TO-261-4, TO-261AA

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para HUF75307T3ST

Hojas de datos : HUF75307T3ST.pdf

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