PMXB65UPEZ - MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G

Número de pieza del fabricante

PMXB65UPEZ

Número interno de parte

AX-PMXB65UPEZ

Fabricante

Nexperia USA Inc.

Breve descripción

MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

5242225 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para PMXB65UPEZ

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PMXB65UPEZ

Fabricante : Nexperia USA Inc.

Descripción : MOSFET P-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 12V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 3.2A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 1.2V, 4.5V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 72 mOhm @ 3.2A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 1V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 12nC @ 4.5V

Vgs (Max) : ±8V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 634pF @ 6V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 317mW (Ta), 8.33W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DFN1010D-3

Paquete / Caja : 3-XDFN Exposed Pad

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para PMXB65UPEZ

Hojas de datos : PMXB65UPEZ.pdf

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