SCT3120ALGC11 - MOSFET NCH 650V 21A TO247N

Número de pieza del fabricante

SCT3120ALGC11

Número interno de parte

AX-SCT3120ALGC11

Fabricante

Rohm Semiconductor

Breve descripción

MOSFET NCH 650V 21A TO247N

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

61280 Pieces

Precio de referencia

~~USD 4.578~~

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Especificaciones para SCT3120ALGC11

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SCT3120ALGC11

Fabricante : Rohm Semiconductor

Descripción : MOSFET NCH 650V 21A TO247N

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : SiCFET (Silicon Carbide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 650V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 21A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 18V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 156 mOhm @ 6.7A, 18V

Vgs (th) (Max) @ Id : 5.6V @ 3.33mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 38nC @ 18V

Vgs (Max) : +22V, -4V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 460pF @ 500V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 103W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-247N

Paquete / Caja : TO-247-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SCT3120ALGC11

Hojas de datos : SCT3120ALGC11.pdf

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