PMXB360ENEAZ - MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Número de pieza del fabricante

PMXB360ENEAZ

Número interno de parte

AX-PMXB360ENEAZ

Fabricante

Nexperia USA Inc.

Breve descripción

MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

3679620 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para PMXB360ENEAZ

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PMXB360ENEAZ

Fabricante : Nexperia USA Inc.

Descripción : MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 80V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 1.1A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 450 mOhm @ 1.1A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.7V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 4.5nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 130pF @ 40V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 400mW (Ta), 6.25W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : DFN1010D-3

Paquete / Caja : 3-XDFN Exposed Pad

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para PMXB360ENEAZ

Hojas de datos : PMXB360ENEAZ.pdf

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