IRF200B211 - MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IRF200B211
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
403105 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para IRF200B211
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
IRF200B211
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
MOSFET N-CH 200V 12A TO-220AB
Serie :
HEXFET®, StrongIRFET™
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
12A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
170 mOhm @ 7.2A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
4.9V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
23nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
790pF @ 50V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
80W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-220AB
Paquete / Caja :
TO-220-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para IRF200B211
Hojas de datos :
IRF200B211.pdf
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