IRLM120ATF - MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IRLM120ATF
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1836915 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para IRLM120ATF
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IRLM120ATF
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 100V 2.3A SOT-223
Serie : -
Estado de la pieza : Not For New Designs
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 2.3A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 220 mOhm @ 1.15A, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 440pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 2.7W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-223-4
Paquete / Caja : TO-261-4, TO-261AA
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para IRLM120ATF
Hojas de datos : IRLM120ATF.pdf
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