FDC655BN - MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-FDC655BN
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
2804235 Pieces
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Especificaciones para FDC655BN
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : FDC655BN
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 30V 6.3A SSOT-6
Serie : PowerTrench®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 6.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 25 mOhm @ 6.3A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 15nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 570pF @ 15V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 1.6W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : SuperSOT™-6
Paquete / Caja : SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para FDC655BN
Hojas de datos : FDC655BN.pdf
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