APTMC120HM17CT3AG - POWER MODULE - SIC MOSFET

Número de pieza del fabricante

APTMC120HM17CT3AG

Número interno de parte

AX-APTMC120HM17CT3AG

Fabricante

Microsemi Corporation

Breve descripción

POWER MODULE - SIC MOSFET

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

9023 Pieces

Precio de referencia

~~USD 537.81336~~

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Especificaciones para APTMC120HM17CT3AG

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : APTMC120HM17CT3AG

Fabricante : Microsemi Corporation

Descripción : POWER MODULE - SIC MOSFET

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : 4 N-Channel

Característica FET : Silicon Carbide (SiC)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V (1.2kV)

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 147A (Tc)

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 17 mOhm @ 100A, 20V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 30mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 332nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5576pF @ 1000V

Potencia - max : 750W

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete / Caja : Module

Paquete del dispositivo del proveedor : SP3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : APTMC , APTMC120

Documentos para APTMC120HM17CT3AG

Hojas de datos : APTMC120HM17CT3AG.pdf

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