IS43LD16640C-18BLI-TR - IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
62820 Pieces
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Especificaciones para IS43LD16640C-18BLI-TR
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IS43LD16640C-18BLI-TR
Fabricante : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descripción : IC DRAM 1G PARALLEL 533MHZ
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnología : SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
Tamaño de la memoria : 1Gb (64M x 16)
Frecuencia de reloj : 533MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 15ns
Tiempo de acceso : -
interfaz de memoria : Parallel
Suministro de voltaje : 1.14V ~ 1.95V
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 134-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor : 134-TFBGA (10x11.5)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : IS43LD1 , IS43LD1664
Documentos para IS43LD16640C-18BLI-TR
Hojas de datos : IS43LD16640C-18BLI-TR.pdf
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| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 13KV R230 DISK. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 18KV SCREW. | ||
| Vishay Beyschlag | CAP CER 10000PF 14KV SCREW. | ||
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