PMWD19UN,518 - MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Número de pieza del fabricante

PMWD19UN,518

Número interno de parte

AX-PMWD19UN,518

Fabricante

NXP USA Inc.

Breve descripción

MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

26418 Pieces

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Especificaciones para PMWD19UN,518

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : PMWD19UN,518

Fabricante : NXP USA Inc.

Descripción : MOSFET 2N-CH 30V 5.6A 8TSSOP

Serie : TrenchMOS™

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : 2 N-Channel (Dual)

Característica FET : Logic Level Gate

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 30V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 5.6A

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 23 mOhm @ 3.5A, 4.5V

Vgs (th) (Max) @ Id : 700mV @ 1mA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 28nC @ 5V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1478pF @ 10V

Potencia - max : 2.3W

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete / Caja : 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

Paquete del dispositivo del proveedor : 8-TSSOP

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : PMWD , PMWD19

Documentos para PMWD19UN,518

Hojas de datos : PMWD19UN,518.pdf

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