SI5511DC-T1-GE3 - MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
29071 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para SI5511DC-T1-GE3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SI5511DC-T1-GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET N/P-CH 30V 4A 1206-8
Serie :
TrenchFET®
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N and P-Channel
Característica FET :
Logic Level Gate
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
30V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
4A, 3.6A
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
55 mOhm @ 4.8A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
7.1nC @ 5V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
435pF @ 15V
Potencia - max :
3.1W, 2.6W
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
8-SMD, Flat Lead
Paquete del dispositivo del proveedor :
1206-8 ChipFET™
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SI5511DC-T1-GE3
Hojas de datos :
SI5511DC-T1-GE3.pdf
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