FQPF13N50C_F105 - IC POWER MANAGEMENT

Número de pieza del fabricante

FQPF13N50C_F105

Número interno de parte

AX-FQPF13N50C_F105

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

IC POWER MANAGEMENT

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

22015 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para FQPF13N50C_F105

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FQPF13N50C_F105

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : IC POWER MANAGEMENT

Serie : QFET®

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 500V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 13A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 480 mOhm @ 6.5A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 56nC @ 10V

Vgs (Max) : ±30V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 2055pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 48W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220F

Paquete / Caja : TO-220-3 Full Pack

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : FQPF1 , FQPF13N

Documentos para FQPF13N50C_F105

Hojas de datos : FQPF13N50C_F105.pdf

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