K4U2E3S4AA-GHCL - 12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
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Breve descripción
12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
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Especificaciones para K4U2E3S4AA-GHCL
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : K4U2E3S4AA-GHCL
Fabricante : Samsung Semiconductor
Descripción : 12 Gb x32 4266 Mbps 1.8 / 1.1 / 0.6 V -40 ~ 105 °C 200FBGA Mass Production
Serie : DDR3
Densidad : 12 Gb
Org. : x32
Velocidad : 4266 Mbps
voltaje : 1.8 / 1.1 / 0.6 V
Temperatura. : -40 ~ 105 °C
Paquete : 200FBGA
Estado del producto : Mass Production
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para K4U2E3S4AA-GHCL
Hojas de datos : K4U2E3S4AA-GHCL.pdf
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