SQ2309ES-T1_GE3 - MOSFET P-CHAN 60V SOT23
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET P-CHAN 60V SOT23
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1943415 Pieces
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Especificaciones para SQ2309ES-T1_GE3
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
SQ2309ES-T1_GE3
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET P-CHAN 60V SOT23
Serie :
Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
P-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
1.7A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
336 mOhm @ 3.8A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
8.5nC @ 10V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
265pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
2W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-236 (SOT-23)
Paquete / Caja :
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para SQ2309ES-T1_GE3
Hojas de datos :
SQ2309ES-T1_GE3.pdf
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