K4B1G0846I-BYMA - 1 Gb 128M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
1 Gb 128M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
74035 Pieces
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Especificaciones para K4B1G0846I-BYMA
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
K4B1G0846I-BYMA
Fabricante :
Samsung Semiconductor
Descripción :
1 Gb 128M x 8 1866 Mbps 1.35 V 0 ~ 85 °C 78FBGA Mass Production
Serie :
DDR3
Densidad :
1 Gb
Org. :
128M x 8
Velocidad :
1866 Mbps
voltaje :
1.35 V
Temperatura. :
0 ~ 85 °C
Paquete :
78FBGA
Estado del producto :
Mass Production
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para K4B1G0846I-BYMA
Hojas de datos :
K4B1G0846I-BYMA.pdf
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