IRF6775MTR1PBF - MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
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1-2 días
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5992 Pieces
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Especificaciones para IRF6775MTR1PBF

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IRF6775MTR1PBF
Fabricante : Infineon Technologies
Descripción : MOSFET N-CH 150V 4.9A DIRECTFET
Serie : HEXFET®
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 150V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 4.9A (Ta), 28A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 56 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 36nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1411pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 2.8W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : DIRECTFET™ MZ
Paquete / Caja : DirectFET™ Isometric MZ
Peso : -
Condición : Nuevo y original
enlaces relacionados : IRF6 , IRF6775

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Hojas de datos : IRF6775MTR1PBF.pdf

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