M474A1K43BB1-CTD - DDR4 ECC SODIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 18 Mass Production
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DDR4 ECC SODIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 18 Mass Production
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
102505 Pieces
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Especificaciones para M474A1K43BB1-CTD
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
M474A1K43BB1-CTD
Fabricante :
Samsung Semiconductor
Descripción :
DDR4 ECC SODIMM 8 GB 1R x 8 2666 Mbps 1.2 V 260 (1G x 8) x 18 Mass Production
Serie :
DDR3
DDR :
DDR4
Tipo de DIMM :
ECC SODIMM
Densidad :
8 GB
Rango x Org. :
1R x 8
Velocidad :
2666 Mbps
voltaje :
1.2 V
Nº de Pin :
260
Composición componente :
(1G x 8) x 18
Estado del producto :
Mass Production
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para M474A1K43BB1-CTD
Hojas de datos :
M474A1K43BB1-CTD.pdf
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