CYD18S18V18-200BBAXI - IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
28714 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para CYD18S18V18-200BBAXI
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
CYD18S18V18-200BBAXI
Fabricante :
Cypress Semiconductor Corp
Descripción :
IC SRAM 18M PARALLEL 256FBGA
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo de memoria :
Volatile
Formato de memoria :
SRAM
Tecnología :
SRAM - Dual Port, Synchronous
Tamaño de la memoria :
18Mb (1M x 18)
Frecuencia de reloj :
200MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página :
-
Tiempo de acceso :
3.3ns
interfaz de memoria :
Parallel
Suministro de voltaje :
1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
256-LBGA
Paquete del dispositivo del proveedor :
256-FBGA (17x17)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
enlaces relacionados :
CYD18S , CYD18S18V1
Documentos para CYD18S18V18-200BBAXI
Hojas de datos :
CYD18S18V18-200BBAXI.pdf
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