APTM100A12STG - MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
27083 Pieces
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Especificaciones para APTM100A12STG
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : APTM100A12STG
Fabricante : Microsemi Corporation
Descripción : MOSFET 2N-CH 1000V 68A LP8W
Serie : -
Estado de la pieza : Discontinued at Digi-Key
Tipo FET : 2 N-Channel (Half Bridge)
Característica FET : Standard
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1000V (1kV)
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 68A
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 120 mOhm @ 34A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 10mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 616nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 17400pF @ 25V
Potencia - max : 1250W
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Chassis Mount
Paquete / Caja : SP3
Paquete del dispositivo del proveedor : SP3
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para APTM100A12STG
Hojas de datos : APTM100A12STG.pdf
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