SQR50N04-3M8_GE3 - MOSFET N-CHANNEL 40V 50A DPAK

Número de pieza del fabricante

SQR50N04-3M8_GE3

Número interno de parte

AX-SQR50N04-3M8_GE3

Fabricante

Vishay Siliconix

Breve descripción

MOSFET N-CHANNEL 40V 50A DPAK

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

566740 Pieces

Precio de referencia

~~USD 0.495042~~

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Especificaciones para SQR50N04-3M8_GE3

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SQR50N04-3M8_GE3

Fabricante : Vishay Siliconix

Descripción : MOSFET N-CHANNEL 40V 50A DPAK

Serie : Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 40V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 50A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 3.8 mOhm @ 20A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 105nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 6700pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 136W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : D-PAK (TO-252)

Paquete / Caja : TO-252-4, DPak (3 Leads + Tab)

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para SQR50N04-3M8_GE3

Hojas de datos : SQR50N04-3M8_GE3.pdf

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