DS1230AB-200IND - IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

Número de pieza del fabricante

DS1230AB-200IND

Número interno de parte

AX-DS1230AB-200IND

Fabricante

Maxim Integrated

Breve descripción

IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

67730 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para DS1230AB-200IND

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : DS1230AB-200IND

Fabricante : Maxim Integrated

Descripción : IC NVSRAM 256K PARALLEL 28EDIP

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo de memoria : Non-Volatile

Formato de memoria : NVSRAM

Tecnología : NVSRAM (Non-Volatile SRAM)

Tamaño de la memoria : 256Kb (32K x 8)

Frecuencia de reloj : -

Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : 200ns

Tiempo de acceso : 200ns

interfaz de memoria : Parallel

Suministro de voltaje : 4.75V ~ 5.25V

Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 85°C (TA)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete / Caja : 28-DIP Module (0.600", 15.24mm)

Paquete del dispositivo del proveedor : 28-EDIP

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : DS123 , DS1230A

Documentos para DS1230AB-200IND

Hojas de datos : DS1230AB-200IND.pdf

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