NSB8MTHE3_A/I - DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
522690 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para NSB8MTHE3_A/I
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
NSB8MTHE3_A/I
Fabricante :
Vishay Semiconductor Diodes Division
Descripción :
DIODE GEN PURP 1KV 8A TO263AB
Serie :
Automotive, AEC-Q101
Estado de la pieza :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) :
1000V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) :
8A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si :
1.1V @ 8A
Velocidad :
Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) :
-
Corriente - Fuga inversa @ Vr :
10µA @ 1000V
Capacitancia a Vr, F :
55pF @ 4V, 1MHz
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Paquete del dispositivo del proveedor :
TO-263AB
Temperatura de funcionamiento - Unión :
-55°C ~ 150°C
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para NSB8MTHE3_A/I
Hojas de datos :
NSB8MTHE3_A/I.pdf
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