AS4C4M16S-6BIN - IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
62385 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para AS4C4M16S-6BIN
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
AS4C4M16S-6BIN
Fabricante :
Alliance Memory, Inc.
Descripción :
IC DRAM 64M PARALLEL 54TFBGA
Serie :
-
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo de memoria :
Volatile
Formato de memoria :
DRAM
Tecnología :
SDRAM
Tamaño de la memoria :
64Mb (4M x 16)
Frecuencia de reloj :
166MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página :
2ns
Tiempo de acceso :
5.4ns
interfaz de memoria :
Parallel
Suministro de voltaje :
3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
54-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor :
54-TFBGA (8x8)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para AS4C4M16S-6BIN
Hojas de datos :
AS4C4M16S-6BIN.pdf
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