IAUS165N08S5N029ATMA1 - MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1

Número de pieza del fabricante

IAUS165N08S5N029ATMA1

Número interno de parte

AX-IAUS165N08S5N029ATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

213965 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para IAUS165N08S5N029ATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : IAUS165N08S5N029ATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1

Serie : Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 80V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 165A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 6V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.9 mOhm @ 80A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 3.8V @ 108µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 90nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 6370pF @ 40V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 167W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : PG-HSOG-8-1

Paquete / Caja : 8-PowerSMD, Gull Wing

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : IAUS165 , IAUS165N08

Documentos para IAUS165N08S5N029ATMA1

Hojas de datos : IAUS165N08S5N029ATMA1.pdf

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