SPB08P06PGATMA1 - MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263

Número de pieza del fabricante

SPB08P06PGATMA1

Número interno de parte

AX-SPB08P06PGATMA1

Fabricante

Infineon Technologies

Breve descripción

MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

1026800 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para SPB08P06PGATMA1

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : SPB08P06PGATMA1

Fabricante : Infineon Technologies

Descripción : MOSFET P-CH 60V 8.8A TO-263

Serie : SIPMOS®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : P-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 8.8A (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 300 mOhm @ 6.2A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 13nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 420pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 42W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : D²PAK (TO-263AB)

Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Peso : -

Condición : Nuevo y original

enlaces relacionados : SPB08 , SPB08P0

Documentos para SPB08P06PGATMA1

Hojas de datos : SPB08P06PGATMA1.pdf

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