2N7002ET1G - MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23

Número de pieza del fabricante

2N7002ET1G

Número interno de parte

AX-2N7002ET1G

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

12892390 Pieces

Precio de referencia

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Especificaciones para 2N7002ET1G

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : 2N7002ET1G

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : MOSFET N-CH 60V 260MA SOT-23

Serie : -

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 260mA (Ta)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 4.5V, 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 2.5 Ohm @ 240mA, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 2.5V @ 250µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 0.81nC @ 5V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 26.7pF @ 25V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 300mW (Tj)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)

Tipo de montaje : Surface Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-23-3 (TO-236)

Paquete / Caja : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para 2N7002ET1G

Hojas de datos : 2N7002ET1G.pdf

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