IS42S32160D-6BLI - IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Breve descripción
IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
39300 Pieces
Precio de referencia
USD 9.522648
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Especificaciones para IS42S32160D-6BLI

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : IS42S32160D-6BLI
Fabricante : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Descripción : IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA
Serie : -
Estado de la pieza : Active
Tipo de memoria : Volatile
Formato de memoria : DRAM
Tecnología : SDRAM
Tamaño de la memoria : 512Mb (16M x 32)
Frecuencia de reloj : 166MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página : -
Tiempo de acceso : 5.4ns
interfaz de memoria : Parallel
Suministro de voltaje : 3V ~ 3.6V
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 85°C (TA)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete / Caja : 90-TFBGA
Paquete del dispositivo del proveedor : 90-TFBGA (8x13)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Documentos para IS42S32160D-6BLI

Hojas de datos : IS42S32160D-6BLI.pdf

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