FQB33N10LTM - MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-FQB33N10LTM
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
571845 Pieces
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Especificaciones para FQB33N10LTM
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : FQB33N10LTM
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 100V 33A D2PAK
Serie : QFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 33A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 52 mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 40nC @ 5V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 1630pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 3.75W (Ta), 127W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : D²PAK (TO-263AB)
Paquete / Caja : TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para FQB33N10LTM
Hojas de datos : FQB33N10LTM.pdf
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