FQD12N20TM - MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-FQD12N20TM
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
682175 Pieces
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Especificaciones para FQD12N20TM
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : FQD12N20TM
Fabricante : ON Semiconductor
Descripción : MOSFET N-CH 200V 9A DPAK
Serie : QFET®
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 200V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 9A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 280 mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 5V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 23nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 910pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 2.5W (Ta), 55W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : D-Pak
Paquete / Caja : TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para FQD12N20TM
Hojas de datos : FQD12N20TM.pdf
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