GA100JT12-227 - TRANS SJT 1200V 160A SOT227

Número de pieza del fabricante

GA100JT12-227

Número interno de parte

AX-GA100JT12-227

Fabricante

GeneSiC Semiconductor

Breve descripción

TRANS SJT 1200V 160A SOT227

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

21896 Pieces

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Especificaciones para GA100JT12-227

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : GA100JT12-227

Fabricante : GeneSiC Semiconductor

Descripción : TRANS SJT 1200V 160A SOT227

Serie : -

Estado de la pieza : Obsolete

Tipo FET : -

Tecnología : SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 1200V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 160A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : -

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 10 mOhm @ 100A

Vgs (th) (Max) @ Id : -

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : -

Vgs (Max) : -

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 14400pF @ 800V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 535W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Chassis Mount

Paquete del dispositivo del proveedor : SOT-227

Paquete / Caja : SOT-227-4, miniBLOC

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para GA100JT12-227

Hojas de datos : GA100JT12-227.pdf

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