PSMN4R1-60YLX - MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
810390 Pieces
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Especificaciones para PSMN4R1-60YLX
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : PSMN4R1-60YLX
Fabricante : Nexperia USA Inc.
Descripción : MOSFET N-CH 60V 100A LFPAK56
Serie : TrenchMOS™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 60V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 100A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.1 mOhm @ 25A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 2.1V @ 1mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 103nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 7853pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 238W (Ta)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje : Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : LFPAK56, Power-SO8
Paquete / Caja : SC-100, SOT-669
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para PSMN4R1-60YLX
Hojas de datos : PSMN4R1-60YLX.pdf
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