FDP4D5N10C - FET ENGR DEV-NOT REL

Número de pieza del fabricante

FDP4D5N10C

Número interno de parte

AX-FDP4D5N10C

Fabricante

ON Semiconductor

Breve descripción

FET ENGR DEV-NOT REL

Estado de RoHS

Sin plomo / Cumple con RoHS

El tiempo de entrega

1-2 días

Cantidad disponible

129545 Pieces

Precio de referencia

~~USD 2.165628~~

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Especificaciones para FDP4D5N10C

Garantía de calidad : 365 dias de garantia

Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo

País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI

Número de pieza : FDP4D5N10C

Fabricante : ON Semiconductor

Descripción : FET ENGR DEV-NOT REL

Serie : PowerTrench®

Estado de la pieza : Active

Tipo FET : N-Channel

Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)

Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 100V

Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 128A (Tc)

Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V

Rds On (Max) @ Id, Vgs : 4.5 mOhm @ 100A, 10V

Vgs (th) (Max) @ Id : 4V @ 310µA

Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 68nC @ 10V

Vgs (Max) : ±20V

Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 5065pF @ 50V

Característica FET : -

Disipación de potencia (max) : 2.4W (Ta), 150W (Tc)

Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 175°C (TJ)

Tipo de montaje : Through Hole

Paquete del dispositivo del proveedor : TO-220-3

Paquete / Caja : TO-220-3

Peso : -

Condición : Nuevo y original

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Documentos para FDP4D5N10C

Hojas de datos : FDP4D5N10C.pdf

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