STQ1HN60K3-AP - MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92

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Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
1323045 Pieces
Precio de referencia
USD 0.212058
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Especificaciones para STQ1HN60K3-AP

Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : STQ1HN60K3-AP
Fabricante : STMicroelectronics
Descripción : MOSFET N-CH 600V 0.4A TO-92
Serie : SuperMESH3™
Estado de la pieza : Active
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 400mA (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 8 Ohm @ 600mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 4.5V @ 50µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 9.5nC @ 10V
Vgs (Max) : ±30V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 140pF @ 50V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 3W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor : TO-92-3
Paquete / Caja : TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
Peso : -
Condición : Nuevo y original
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Hojas de datos : STQ1HN60K3-AP.pdf

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