IRF6794MTR1PBF - MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
52464 Pieces
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Especificaciones para IRF6794MTR1PBF
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
IRF6794MTR1PBF
Fabricante :
Infineon Technologies
Descripción :
MOSFET N-CH 25V 32A DIRECTFET-MX
Serie :
HEXFET®
Estado de la pieza :
Obsolete
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
25V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
32A (Ta), 200A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
1.7 mOhm @ 32A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2.35V @ 100µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
47nC @ 4.5V
Vgs (Max) :
±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
4420pF @ 13V
Característica FET :
Schottky Diode (Body)
Disipación de potencia (max) :
2.8W (Ta), 100W (Tc)
Temperatura de funcionamiento :
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor :
DIRECTFET™ MX
Paquete / Caja :
DirectFET™ Isometric MX
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para IRF6794MTR1PBF
Hojas de datos :
IRF6794MTR1PBF.pdf
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