IRLD110PBF - MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-IRLD110PBF
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
437010 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para IRLD110PBF
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
IRLD110PBF
Fabricante :
Vishay Siliconix
Descripción :
MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
Serie :
-
Estado de la pieza :
Active
Tipo FET :
N-Channel
Tecnología :
MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) :
100V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C :
1A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) :
4V, 5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs :
540 mOhm @ 600mA, 5V
Vgs (th) (Max) @ Id :
2V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs :
6.1nC @ 5V
Vgs (Max) :
±10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds :
250pF @ 25V
Característica FET :
-
Disipación de potencia (max) :
1.3W (Ta)
Temperatura de funcionamiento :
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montaje :
Through Hole
Paquete del dispositivo del proveedor :
4-DIP, Hexdip, HVMDIP
Paquete / Caja :
4-DIP (0.300", 7.62mm)
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para IRLD110PBF
Hojas de datos :
IRLD110PBF.pdf
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