APTC60DAM35T1G - MOSFET N-CH 600V 72A SP1
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
Fabricante
Breve descripción
MOSFET N-CH 600V 72A SP1
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
65970 Pieces
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Especificaciones para APTC60DAM35T1G
Garantía de calidad : 365 dias de garantia
Recurso de stock : Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen : USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza : APTC60DAM35T1G
Fabricante : Microsemi Corporation
Descripción : MOSFET N-CH 600V 72A SP1
Serie : -
Estado de la pieza : Obsolete
Tipo FET : N-Channel
Tecnología : MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) : 600V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C : 72A (Tc)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) : 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs : 35 mOhm @ 72A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id : 3.9V @ 5.4mA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs : 518nC @ 10V
Vgs (Max) : ±20V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds : 14000pF @ 25V
Característica FET : -
Disipación de potencia (max) : 416W (Tc)
Temperatura de funcionamiento : -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje : Chassis Mount
Paquete del dispositivo del proveedor : SP1
Paquete / Caja : SP1
Peso : -
Condición : Nuevo y original
Documentos para APTC60DAM35T1G
Hojas de datos : APTC60DAM35T1G.pdf
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