JAN1N5809URS - DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
Número de pieza del fabricante
Número interno de parte
AX-JAN1N5809URS
Fabricante
Breve descripción
DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
Estado de RoHS
Sin plomo / Cumple con RoHS
El tiempo de entrega
1-2 días
Cantidad disponible
33621 Pieces
Precio de referencia
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Especificaciones para JAN1N5809URS
Garantía de calidad :
365 dias de garantia
Recurso de stock :
Distribuidor Franquiciado / Fabricante Directo
País de origen :
USA / TAIWAN / MEXICO / MALAYSIA / PHI
Número de pieza :
JAN1N5809URS
Fabricante :
Microsemi Corporation
Descripción :
DIODE GEN PURP 100V 3A BPKG
Serie :
Military, MIL-PRF-19500/477
Estado de la pieza :
Active
Tipo de diodo :
Standard
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) :
100V
Corriente - Promedio Rectificado (Io) :
3A
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si :
875mV @ 4A
Velocidad :
Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Tiempo de recuperación inverso (trr) :
30ns
Corriente - Fuga inversa @ Vr :
5µA @ 100V
Capacitancia a Vr, F :
60pF @ 10V, 1MHz
Tipo de montaje :
Surface Mount
Paquete / Caja :
SQ-MELF, B
Paquete del dispositivo del proveedor :
B, SQ-MELF
Temperatura de funcionamiento - Unión :
-65°C ~ 175°C
Peso :
-
Condición :
Nuevo y original
Documentos para JAN1N5809URS
Hojas de datos :
JAN1N5809URS.pdf
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